半导体参数测试系统IV+CV电性能分析
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功率器件CV测试系统
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系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。功率器件CV测试系统认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；
进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。
系统优势
高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；
基本参数
|
LCR |
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|
测试频率 |
10Hz-1MHz |
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|
频率输出精确度 |
±0.01% |
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|
基本准确度 |
±0.05% |
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|
AC测试信号准位 |
10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) |
||||||
|
DC测试信号准位 |
10mV至2V (1m Vrms 解析度) |
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|
输出阻抗 |
100Ω |
||||||
|
量测范围 |
|Z|, R, X |
0.001mΩ–99.999MΩ |
|Y|, G, B |
0.1nS–99.999S |
|||
|
Cs、Cp |
0.01pF – 9.9999F |
Ls Lp |
0.1nH–9.999kH |
||||
|
D |
0.00001-9.9999 |
Q |
0.1-9999.9 |
||||
|
DCR |
0.001mΩ–9.999MΩ |
Δ% |
-9999%-999% |
||||
|
θ |
-180° -+180° |
|
|
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|
SMU |
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|
VGS范围 |
0 - ±30V(选配) |
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|
IGSS/IGES |
≥10pA(选配) |
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|
VDS范围 |
0 - ±300V |
0 - ±1200V |
0 - ±2200V |
0 - ±3500V |
|||
|
IDSS/ICES |
≥10pA |
≥1nA |
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|
源测精度 |
0.03% |
0.1% |
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|
功能 |
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测试方式 |
点测、图形扫描 |
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|
测试参数 |
DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES |
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|
接口 |
RS232、LAN |
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|
编程协议 |
SCPI、LabView |
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