【CNMO新闻】据外媒消息，三星电子的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。近日，三星电子DS部门研究员Kang Young-seok详细介绍了该公司EUV技术的现状和未来。据CNMO了解，三星使用的EUV薄膜的透射率已达到90%，并计划将其提高至94%-96%。EUV薄膜是半导体制造中光刻工艺所需的材料，薄膜充当保护层，防止异物带来缺陷。

三星

90%的透射率意味着只有90%进入薄膜的光到达掩模，这可能会影响电路图案的精度。这比更常见的氟化氩 (ArF) 工艺中使用的薄膜99.3%的透射率要低。外媒称，EUV薄膜面临商业化挑战，因为它们容易因EUV工艺过程中产生的热量而变形或破裂。

目前，三星已在其一些为主要客户提供的先进EUV代工生产线上引入了EUV薄膜。虽然该公司也在其DRAM生产线中实施了EUV工艺，但考虑到生产率和成本，它认为无需薄膜的内存量产是可行的。

值得一提的是，三星并未使用韩国国内供应商的EUV薄膜。外媒称，目前日本三井物产是唯一供应商。虽然FST和S&S Tech等韩国公司正在积极开发EUV薄膜，但尚未实现量产。

相比之下，三星的代工竞争对手台积电已经在7纳米及更小工艺的生产线上使用自己的EUV薄膜。