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大功率igbt测试仪igbt测试设备

普赛斯大功率igbt测试仪igbt测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；IGBT测试系统图普赛斯IGBT功率器件静态参

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IGBT击穿电压测试高压电源

E系列IGBT击穿电压测试高压电源特点和优势：十ms级的上升沿和下降沿；单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度；同步电流或电压测量；支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六；产品简介高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第

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半导体参数测试系统IV+CV电性能分析仪

SPA-6100型半导体参数测试系统IV+CV电性能分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发

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多功能脉冲源表脉冲IV测试仪

P系列多功能脉冲源表脉冲IV测试仪是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料

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微电子器件材料电性能测试SMU数字源表

在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高端测试装备上下游产业链的垂直整合，晶圆级微电子

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功率器件CV测试系统

系统方案普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。功率器件CV测试系统认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；进行C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用

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半导体电学特性测试系统IV+CV测试仪

半导体电学特性测试系统IV+CV测试仪特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高,全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；

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霍尔延时响应测试电流传感器测试系统

霍尔延时响应测试电流传感器测试系统特点和优势：超快300A/us上升沿；可集成数字万用表、示波器；可集成温箱，动静态参数一体化测试；可定制各种穿心式、连接式夹具；可测量开环/闭环霍尔电流传感器、罗氏线圈、磁通门电流传感器；单台设备最大输出1000A； 0.1%精度；详询一八一四零六六三四七六；产品简介电流传感器

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